انضم البروفيسور ماريو لانزا إلى جامعة الملك عبد الله للعلوم والتقنية (كاوست) في عام 2020 كأستاذ مشارك في هندسة وعلوم المواد، حاملاً خبرة واسعة في تقنية أشباه الموصلات القائمة على أكسيد الفلز والمعروفة اختصارًا بـ CMOS، من خلال دمجه للمواد ثنائية الأبعاد المترابطة وابتكاراته في أجهزة الذاكرة المقاومة (memristive devices). ويشغل حالياً منصب أستاذ منتدب في كاوست، إلى جانب عمله أستاذًا مشاركًا بدوام كامل في قسم هندسة وعلوم المواد بالجامعة الوطنية في سنغافورة. وكان قد شغل سابقًا منصب أستاذ في معهد المواد النانوية واللينة الوظيفية بجامعة سوتشو في الصين. نشر البروفيسورلانزا أكثر من 200 مقال بحثي في مجلات علمية مرموقة مثل Nature وScience وAdvanced Electronic Materials، وشارك كمتحدث رئيسي ومحاضر مدعو ومحاضر ورش عمل في أكثر من 150 مؤتمرًا عالميًا. وهو محاضر متميّز في جمعية أجهزة الإلكترونيات(IEEE-EDS)، ورئيس تحرير مجلة Microelectronic Engineering الصادرة عن دار النشر Elsevier، ويشغل عضوية هيئات تحريرية في عدد من المجلات والمؤتمرات الدولية، بما في ذلك IEEE-IEDM و IEEE-IRPS. كما حصل على تمويل بحثي من جهات بارزة مثل الاتحاد الأوروبي والمؤسسة الوطنية للعلوم الطبيعية في الصين، ويمتلك أربع براءات اختراع مسجلة، ونال العديد من الجوائز الدولية.​

ويُعد البروفيسور لانزا من أبرز العلماء في دراسة مركب نيتريد البورون السداسي(h-BN) والمواد العازلة فائق الرقة الأخرى المستخدمة في الأجهزة الإلكترونية مثل (SiO₂، HfO₂، Al₂O₃) ويهدف بحثه إلى تعزيز أداء رقائق السيليكون والدوائر المتكاملة عبر استخدام المواد ثنائية الأبعاد، لما تتميز به من خواص إلكترونية وحرارية وكيميائية وفيزيائية وبصرية فائقة، مع تركيز خاص على مصفوفات الذاكرة المتقاطعة (memristive crossbar arrays) وتطبيقاتها في بناء الشبكات العصبية الاصطناعية. ويستعين في أبحاثه بأساليب التحليل النانوي الإلكتروني لمختلف المواد والأجهزة باستخدام المسح المجهري (SPM). ​