Top

حسين فاريبورزي

استاذ مساعد ، الهندسية الكهربائية

قسم العلوم والهندسة الحاسوبية والكهربائية والحسابية


الانتماءات

المؤهل العلمي

  • الدكتوراه، معهد ماساتشوستس للتقنية ، الولايات المتحدة الامريكية ، ٢٠١٣م
  • الماجستير، جامعة مالايا، ماليزيا، ٢٠٠٨م
  • البكالوريوس، جامعة شريف التكنولوجية، ايران ٢٠٠٦م

الاهتمامات البحثية

تشمل الاهتمامات البحثية للبروفيسور حسين فاريبورزي، التصميم والنمذجة والاستخدام الأمثل للدوائر والنظم المتكاملة منخفضة الاستهلاك للكهرباء (المختلطة " إشارة / رقمية")، التي يتم تطبيقها بالتقنيات الناشئة للتحول الرقمي.  كما يشمل اهتمام بروفيسور فاريبوزي بشكل خاص مجموعة من أجهزة تبديل التيار من أشباه الموصلات المكملة الفلزية المعدنية المؤكسدة (CMOS) بالاضافة الي مجموعة من الحلول المبتكرة، مثل المرحلات النانونية والمتناهية الصغر التي تعمل باستخدام النظم الكهروميكانيكية الصغرى MEMS. كما يعمل أيضا على استكشاف تطبيقات هذه الأجهزة والأنظمة في مجال الأجهزة الطبية الحيوية واللاسلكية، والأجهزة الطبية التي يتم ارتدائها او تركيبها داخل جسم الانسان.

مؤلفات مختارة

  • MA. AlHafiz, S. Ilyas, S. Ahmed, MI. Younis, H. Fariborzi, "A Microbeam Resonator with Partial Electrodes for Logic and Memory Elements," IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits, 2 (3) 83-92, Dec 2017.
  • D. Berco, U. Chand, H. Fariborzi, "A Numerical Analysis and Experimental Demonstration of a Low Degradation Conductive Bridge Resistive Memory Device," Journal of Applied Physics, 122 (16), 152-164, Oct 2017
  • U. Chand, M. Alawein, H. Fariborzi, "Enhancement of Endurance in HfO2-Based CBRAM Device by Introduction of a TaN Diffusion Blocking Layer," Electrochemical Science and Technology (ECS) Transactions, 77 (11), 1971-1976, July 2017.
  • A. Hafiz, S. Tella, N. Alcheikh, H. Fariborzi, M. Younis, "Axially modulated arch resonator for logic and memory applications,", Journal of Mechatronics, Dec 2017.
  • U. Chand, D. Berco, R. Li, M. Alawein, H. Fariborzi, "Experimental and Simulation Study of Resistive Switching Properties in Novel Cu/Poly-Si/TiN CBRAM Crossbar Device" IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM-2018) Kobe, Japan, 2018.
  • S. Wasef, S. Amara, M. Alawein, H. Fariborzi," Multibit Memory Cells Based on Spin-Orbit Torque Driven Magnetization Switching of Nanomagnets with Configurational Anisotropy," IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM-2018) Kobe, Japan, 2018.
  • M Alawein, H Fariborzi, "A General Circuit Model for Spintronic Devices under Electric and Magnetic Fields," in Proceedings of IEEE European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2017), Leuven, Belgium.
  • M. A. Hafiz, M. Younis, H. Fariborzi, "A Parity Checker Circuit Based on Microelectromechanical Resonator Logic Elements," Physics Letters A., Jan 2017
  • A. Hafiz, L. Kosuru, M. Younis , H. Fariborzi, "Microelectromechanical Resonator Based Digital Logic Elements," European Solid State Device Research Conference, ESSDERC 2016, Lausanne, Switzerland.
  • H. Fariborzi, F. Chen, R. Nathanael, R. Lee, T.-J.K. Liu, V. Stojanovic, "Relays Do Not Leak, CMOS Does," (invited) IEEE Design Automation Conference (DAC), Austin, TX, June 2013. 
  • M. Spencer, F. Chen, H. Fariborzi, R. Nathanael, C.Wang, A. Gupta, H. Kam, V. Pott, J. Jeon, T.-J. K. Liu, D. Markovic, E. Alon, and V. Stojanovic, "Demonstration of Integrated Micro-Electro-Mechanical Relay Circuits for VLSI Applications," IEEE Journal of Solid-State Circuits, 2011.
  • H. Fariborzi, M. Spencer, V. Karkare, J. Jeon, R. Nathanael, C. Wang, F. Chen, H. Kam, V. Pott, T.-j. K. Liu, E. Alon, V. Stojanovic, and D. Markovic, "Analysis and demonstration of MEM-relay power gating," Custom Integrated Circuits Conference (CICC), 2010 IEEE, San Jose, CA.
  • F. Chen, M. Spencer, R. Nathanael, H. Fariborzi, C.Wang, A. Gupta, H. Kam, V. Pott, J. Jeon, T.-J. K. Liu, D. Markovic, V. Stojanovic, and E. Alon, "Demonstration of Integrated Micro-Electro-Mechanical (MEM) Switch Circuits for VLSI Applications," International Solid State Circuits Conference ISSCC, San Francisco, 2010.