Top

زياهانج لي

أستاذ مساعد، الهندسة الكهربائية 

قسم العلوم والهندسة الحاسوبية والكهربائية والحسابية


Advanced Semiconductor Laboratory

الانتماءات

المؤهل العلمي

  • الدكتوراه في الهندسة الكهربائية (تخصص فرعي في الفيزياء )، معهد جورجيا التقني ، ٢٠١٥م
  • الماجستير في الهندسة الكهربائية ، جامعة ليهاي، الولايات المتحدة الامريكية،  ٢٠١١م
  • البكالوريوس في الفيزياء التطبيقية ، جامعة هواتشونغ للعلوم والتكنولوجيا، الصين ، ٢٠٠٨م

الاهتمامات البحثية

تشمل الاهتمامات البحثية للبروفيسور لي دراسة نمو، ومحاكاة وتصنيع، وتوصيف بنية النتريد الثلاثي المستخدم في تصنيع أجهزة الجيل القادم. وتضم الأجهزة التي يهتم بها بشكل خاص الصمام الثنائي الباعث للضوء، والليزر، والخلايا الشمسية، والترانزستورات، وأجهزة الاستشعار. ويرى بروفيسور لي انه نظراً للخصائص الممتازة للنتريد الثلاثي، فمن المتوقع أن تحدث هذه الأجهزة ثورة في مجال الطاقة، والاتصالات، والكيمياء الحيوية، والطب الحيوي، وصناعة تخزين وحفظ البيانات وكثير من الأجهزة الأخرى.
 تتميز الأنشطة البحثية للبروفيسور لي بالتعدد الواسع للتخصصات، حيث تشمل الهندسة الكهربائية، الفيزياء التطبيقية، علوم المواد، الهندسة الكيميائية وغيرها من التخصصات ذات الصلة.

مؤلفات مختارة

  • ​X. H. Li, et al., “Demonstration of transverse-magnetic dominant deep-ultraviolet stimulated emission from AlGaN multiple-quantum-well lasers on sapphire substrates”, Applied Physics Letter, vol. 106, issue 041115, 2015.
  • X. H. Li, et al., “Temperature dependence of crystalline quality of AlN layer grown on sapphire substrate by metalorganic chemical vapor deposition”, Journal of Crystal Growth, vol. 414, p. 76-78, 2015.
  • X. H. Li, et al., “Growth of high-quality AlN layer on sapphire substrate at relatively low temperatures by metalorganic chemical vapor deposition”, Physica Status Solidi (b), vol. 252, issue 5, May 2015.
  • X. H. Li, et al., “Low-threshold stimulated emission at 249 nm and 256 nm from AlGaN-based multiple-quantum-well lasers grown on sapphire substrates”, Applied Physics Letter, vol. 105, issue 141106, 2014.
  • X. H. Li, et al., “Light Extraction Efficiency Enhancement of III-Nitride Light-Emitting Diodes by using 2-D Close-Packed TiO2 Microsphere Arrays”, IEEE Journal of Display Technology, vol. 9, no. 5, pp. 324-331, May 2013.