الانتماءات

• الهندسة الكهربائية والحاسوبية

المؤهل العلمي

• الدكتوراه في الهندسة الكهربائية (تخصص فرعي في الفيزياء )، معهد جورجيا التقني ، ٢٠١٥م
• الماجستير في الهندسة الكهربائية ، جامعة ليهاي، الولايات المتحدة الامريكية، ٢٠١١م
• البكالوريوس في الفيزياء التطبيقية ، جامعة هواتشونغ للعلوم والتكنولوجيا، الصين ، ٢٠٠٨م

الاهتمامات البحثية

تشمل الاهتمامات البحثية للبروفيسور لي دراسة نمو، ومحاكاة وتصنيع، وتوصيف بنية النتريد الثلاثي المستخدم في تصنيع أجهزة الجيل القادم. وتضم الأجهزة التي يهتم بها بشكل خاص الصمام الثنائي الباعث للضوء، والليزر، والخلايا الشمسية، والترانزستورات، وأجهزة الاستشعار. ويرى بروفيسور لي انه نظراً للخصائص الممتازة للنتريد الثلاثي، فمن المتوقع أن تحدث هذه الأجهزة ثورة في مجال الطاقة، والاتصالات، والكيمياء الحيوية، والطب الحيوي، وصناعة تخزين وحفظ البيانات وكثير من الأجهزة الأخرى. تتميز الأنشطة البحثية للبروفيسور لي بالتعدد الواسع للتخصصات، حيث تشمل الهندسة الكهربائية، الفيزياء التطبيقية، علوم المواد، الهندسة الكيميائية وغيرها من التخصصات ذات الصلة.

مؤلفات مختارة

• X. H. Li*, et al., “Three-dimensional integrated metal-oxide transistors,” Nature Electronics 7, 768 (2024)

• X. H. Li*, et al., “Etching-free pixel definition in InGaN green micro-LEDs,” Nature Light Science & Application 13, 117 (2024).

• X. H. Li*, et al., “Enhancement-mode Ambipolar Thin-film Transistors and CMOS Logic Circuits using Bilayer Ga2O3/NiO Semiconductors,” ACS Appl. Mater. Interfaces 16, 6088 (2024).

• X. H. Li*, et al., “Epitaxial AlN film with improved quality on Si (111) substrates realized by boron pretreatment via MOCVD,” Appl. Phys. Lett. 124, 172107 (2024).

• X. H. Li*, et al., “Ti3C2Tx MXene van der Waals Gate Contact for GaN High Electron Mobility Transistors,” Adv. Mater. 2023, 2211738 (2023).