الانتماءات

• الهندسة الكهربائية والحاسوبية

المؤهل العلمي

• دكتوراه، جامعة طوكيو، اليابان، 1992
• ماجستير، جامعة طوكيو، اليابان، 1985
• البكالوريوس، جامعة طوكيو للعلوم، اليابان، 1983​

الاهتمامات البحثية

مؤلفات مختارة

• ​D. Iida, S. Lu, S. Hirahara, K. Niwa, S. Kamiyama, K. Ohkawa, "Investigation of amber light-emitting diodes based on InGaN/AlN/AlGaN quantum wells", Jpn. J. Appl. Phys. 55, 05FJ06 (2016).
  
• T. Sekimoto, S. Shinagawa, Y. Uetake, K. Node, M. Deguchi, S. Yotsuhashi, K. Ohkawa, "Tandem photo-electrode of InGaN with two Si p-n junctions for CO2 conversion to HCOOH with the efficiency greater than biological photosynthesis", Appl. Phys. Lett. 106, 073902, (2015).
  
• K. Ohkawa, T. Watanabe, M. Sakamoto, A. Hirako, et al., "740-nm emission from InGaN-based LEDs on c-plane sapphire substrates by MOVPE", J. Cryst. Growth 343, pp.13-16 (2012).
  
• T. Hayashi, K. Ohkawa, et al., "High stability and efficiency of GaN photocatalyst for hydrogen generation from water", Jpn. J. Appl. Phys.  51, 112601 (2012).
  
• K. Nakamura, A. Hirako, K. Ohkawa, "Analysis of pulsed injection of precursors in AlN-MOVPE growth by computational fluid simulation", Phys. Stat. Sol. (c) 7, pp.2268-2271 (2010).